有机硅纳米点阴极界面层

免退火且光稳定

一种无需高温退火的阴极界面层，可降低ITO功函数并提升电荷提取，同时显著改善器件光稳定性。

张阳阳 · Hu, Yuxuan · Hao, Xiujuan · Luchan, Huang · Wenwen, Chen · 李娜 · Rong, Qikun · 高兴森 · Nian, Li

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2024

参数信息

光电转换效率

15.45 %

技术优势

免高温退火

OSiNDs-AE可在室温下制备阴极界面层，省去ITO上的高温退火步骤，简化工艺流程。

光照稳定性更好

基于OSiNDs-AE的PM6:Y6器件在光照下比ZnO阴极界面层的器件降解更慢，寿命更长。

一步合成

有机硅纳米点通过一步水热法合成，工艺简单，便于放大生产。

应用场景

• 有机太阳能电池：用免退火界面层提升效率与光稳定性。
• 钙钛矿太阳能电池：借鉴其界面调控策略降低功函数。
• 光电器件界面工程：提供室温可加工的有机纳米点界面材料。