E-mode GaN HEMT

硬开关下低RON漂移

通过优化钝化和栅极场板设计，该器件在硬开关条件下显著抑制了导通电阻的退化。

Favero D. · De Santi, Carlo · Stockman, Arno · Nardo, Arianna · Vanmeerbeek, Piet · Tack, Marnix R. · Meneghesso, Gaudenzio · Zanoni, Enrico · Meneghini, Matteo

2024

技术优势

片上精确表征RON和VTH

通过脉冲IV技术调节关态到测试阶段的过渡，实现从软开关到硬开关的切换，无需封装即可评估动态特性。

钝化改善降低RON退化

优化钝化工艺可降低硬开关下的导通电阻增加量，且对阈值电压漂移影响甚微，提升器件可靠性。

栅场板长度抑制RON漂移

栅极场板长度显著影响硬开关下的RON增加量，通过管理接入区电场有效抑制退化，而对VTH漂移影响甚微。

应用场景

• GaN功率器件：利用硬开关下低RON退化的特性，设计高效可靠的功率开关器件。
• 功率转换系统：提升功率转换系统在硬开关工况下的效率和长期稳定性。
• 高频电源：适用于高频电源中需要承受硬开关应力的GaN HEMT器件。