HfOx插入层

开关电流更低

在Pt/Co/Ti结构中引入HfOx插入层，将磁化翻转机制从畴壁运动转变为畴壁成核，从而提升自旋轨道矩效率并降低开关电流。

Jin, Tianli · 张波 · Tan, Funan · Lim, Gerard Joseph · Chen, Ze · Cao, Jiangwei · Lew, Wensiang

Nano Letters 2024

具体参数

数字识别准确率

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技术优势

开关电流更低

HfOx插入层改变了磁化翻转机制，使得驱动磁化翻转所需的电流密度显著降低，从而降低了器件功耗。

翻转机制变成核

插入HfOx后，磁化翻转由畴壁运动主导转变为畴壁成核主导，不再需要复杂的畴壁钉扎结构。

能学突触行为

通过施加脉冲电流，器件能够表现出稳定的多态存储和突触可塑性行为，适用于神经形态计算。

应用场景

• 自旋电子存储：用这种多层膜做自旋电子存储单元，电流更低。
• 磁畴壁器件：靠畴壁成核翻转，省去精确钉扎设计。
• 内存计算：器件能在内存位置直接完成计算和存储。
• 神经形态计算：脉冲驱动突触可塑性，适合神经形态硬件。