平面SiC MOSFET

短路失效模式细化

揭示短路时间对平面碳化硅MOSFET失效模式的影响，细分不同厂家的失效行为，为短路保护设计提供依据。

JiaHui, Meng · 孙鹏 · Cai, Yumeng · Zhang, Haoran · 赵志斌 · 辛振

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 2024

技术优势

失效模式分得更细

区分了导通期间失效与关断后延迟失效，并进一步按厂家和关断栅压细分，而非笼统归为栅极失效或热失控。

负栅压关断不简单

发现负关断栅压下平面SiC MOSFET的失效特征更复杂，提示保护策略需考虑关断电压极性。

热模型可解释时间影响

通过改进的Cauer热模型揭示了不同短路时间下的失效模式转变机制，为预估器件行为提供工具。

应用场景

• SiC功率器件可靠性：提供短路时间相关的失效模式数据，用于评估器件短路可靠性。
• 短路保护设计：依据短路时间对失效模式的影响，设定合适的保护动作时间。
• 功率变换器：了解不同短路时间下的失效模式，优化变换器中的短路保护策略。