两步法CMP氮化铝晶片

抛光效率提升30%

通过酸碱两步组合抛光，将损伤层快速去除与原子级平坦化分步实现，解决了传统工艺效率低、表面质量不足的瓶颈。

Yuzhu, Wu · 王守志 · Yu, Ruixian · Wang, Guodong · Wenhao, Cao · Li, Qiubo · Yajun, Zhu · Liu, Jingliang · 徐现刚 · 张磊

Journal of Manufacturing Processes 2025

具体参数

抛光效率提升

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技术优势

效率提升30%

两步CMP的抛光效率比传统复合抛光方法快约30%，缩短了加工时间。

原子级光滑表面

可将研磨后的AlN晶片快速转变为原子级光滑表面，满足器件级平坦度要求。

降低制造成本

高效可重复的工艺有望降低AlN晶圆制造中的人力与金钱成本。

应用场景

• 氮化铝基器件衬底：提供原子级光滑表面，提升外延层质量和器件性能。
• 宽禁带半导体加工：实现高效率、高质量的硬脆宽禁带半导体晶片平坦化。
• 晶圆平坦化：高效去除研磨损伤并获得原子级平坦度，替代传统低效工艺。
• 增材制造后处理：可用于增材制造AlN部件的表面精加工，提升表面质量。