超深TSV镍种子层

≥500μm无空洞

采用双重催化无电镀在超深TSV中形成致密复合Ni阻挡/种子层，兼具阻挡与种子功能，解决超深TSV连续层覆盖难题。

Su, Yuwen · Ding Y. · Xiao, Lei · Zhang, Ziyue · Yan, Yangyang · Liu, Zhifang · Zhiming, Chen · 谢会开

Microsystems and Nanoengineering 2024

参数信息

耗尽电容

1.3 pF

泄漏电流

1.7 pA

TSV深度

530 μm

技术优势

深孔无空洞

双重催化在碱性环境下水解PI表面形成PAA界面层，增加催化位点，使Ni层在深孔底部也能致密连续。

一步成双层

所制备的Ni层同时充当阻挡层和种子层，省去额外的阻挡层沉积步骤，简化互连工艺。

成本温度双低

制造过程涉及低成本和低温，有利于与温度敏感的MEMS和光电子芯片集成，不需要高预算热预算工艺。

应用场景

• MEMS先进封装：让MEMS器件通过超深TSV实现高密度垂直互连，同时低温工艺避免损伤微结构。
• 三维异质集成：为异质芯片堆叠提供深孔无空洞的导电通道，支撑更高集成度的3D集成。
• 硅转接板：在硅转接板中嵌入兼具阻挡/种子功能的Ni层，降低制造成本并提升TSV可靠性。
• 芯片封装测试：提供可直接电测试的超深TSV样品，验证封装互连的电学性能与结构完整性。