交叉堆叠AgTiPS6半导体

面内各向异性5.44

交叉堆叠结构带来显著的面内各向异性与轴向选择性，电学各向异性达5.44，为高集成各向异性器件提供新平台。

Wu, Dong · 沈万福 · 周柳江 · 胡春光 · 玉鹏 · 杨国伟

Advanced Materials 2025

具体参数

带隙

1.0 eV

激光损伤阈值

>10 W cm⁻²

Environmental stability

>12 months

技术优势

电学各向异性5.44

光学各向异性2.44