单晶碳化硅抛光片

超声协同氧化增强

与常规CMP相比，超声辅助工艺在40 kHz下同时强化了表面氧化与材料去除，为超精密抛光优化提供了可操作参数。

刘瑶

Surfaces and Interfaces 2025

参数信息

轨道氧化态含量提升

7.26 %

轨道氧化态含量提升

58.43 %

全谱氧元素百分比提升

11.38 %

Ra

40 kHz