多孔硅

介孔大孔双级分布

通过真空升华脱合金法制备的多孔硅,具有双级孔径分布和独特的花状孔结构,可用于锂离子电池负极。

Yuekun, Yang · Shouyan, Hu · 罗洪杰 · Yang, Qu · 吴林丽

Vacuum 2023

参数信息

介孔孔径范围
3.1 ± 0.2–6.3 ± 0.2 nm
大孔孔径范围
351.6 ± 1–2101.7 ± 1 nm

技术优势

一步制备,无需模板

直接加热Mg₂Si前驱体并真空保持,即可获得多孔硅,避免了传统方法中复杂的模板去除或蚀刻步骤。

孔径双级分布

同时存在3.1 ± 0.2–6.3 ± 0.2 nm的介孔和351.6 ± 1–2101.7 ± 1 nm的大孔,这种宽范围孔径可兼顾高比表面和物质传输。

孔结构独特

内部孔呈霜花状和灌木状,表面为多边形轮廓孔,这种多级形貌有利于电解液渗透和锂离子快速传输。

应用场景