单层CrTe₂

室温面内铁磁

在石墨烯上外延生长的单层CrTe₂首次实现超过300 K的铁磁有序，自旋取向由面外转为面内，为二维自旋电子学提供可直接集成的磁性单元。

Donghui, Wang · Wang, Xin · Hu, Bingxi · Jiaxuan, Wang · Zou, Yuxiao · Jin, Guo · Li, Zezhong · Wang, Shuting · Yunliang, Li · 宋国峰 · 王海 · 刘莹

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

原子间距增加

约1.6 %

角度增大

约1.6 °

电子掺杂

1.5 e/u

技术优势

居里温度超过300 K