氟化二维聚合物薄膜

多级存储行为

供体-受体结构实现分步电荷捕获，产生三态电阻切换，适合神经形态计算。

刘雷 · Ji, Wenyan · Cheng Yuan-Zhe · 董焕丽 · 丁雪松 · 雷圣宾 · 韩宝航 · 胡文平

Advanced Materials 2024

具体参数

阈值电压 Vth1

{'zh': '1.1', 'en': '1.1'} V

阈值电压 Vth2

{'zh': '2.0', 'en': '2.0'} V

电阻状态比

{'zh': '1:10²:10⁴', 'en': '1:10²:10⁴'}

三态产率

{'zh': '83', 'en': '83'} %

识别精度

{'zh': '86', 'en': '86'} %

技术优势

阈值电压低

器件的阈值电压Vth1为1.1 V，Vth2为2.0 V，有利于降低功耗。

电阻态区分明显

电阻状态比值为1:10²:10⁴，三个状态之间差距大，不易误读。

神经形态计算精度高

在改良NIST识别任务中达到86%的准确率，适用于神经形态计算。

应用场景

• 多级存储器件：用其多级电阻态存储多位信息，提升存储密度。
• 神经形态计算：利用逐步电荷捕获模拟突触可塑性，进行模式识别。