纳米间隙电极

免光刻晶圆级制造

无需高分辨纳米光刻，即可在4英寸晶圆上精确制造亚10 nm至数百纳米间隙的异质电极，一致性与可重复性俱佳。

Zhao, Haiquan · 陈飞良 · Wanying, Tang · Wei, Yazhou · Lixin, Sun · An, Dawei · 张志清 · 江昊 · 杨帆 · Liu, Yang · 李沫 · Jian-Jian, Zhang

Small 2025

具体参数

间隙尺寸范围

sub-10 nm to several hundred nm

深高比

1:6.9

宽高比

1:30,000

技术优势

免光刻

倾斜沉积工艺直接控制间隙尺寸，无需高分辨纳米光刻，从而降低成本和复杂性。

间隙极小

实现了8 nm超小间隙，且具有极高的深高比和宽高比，有利于分子尺度探测。

晶圆级一致

在4英寸硅片上具有高成功率和可重复性，保证了批量制造的一致性。

可做异质电极

该工艺可制造异质电极，在不同基底和结构上均能应用，扩展了器件设计空间。

应用场景

• 分子电子学：超小间隙可连接单个分子，用于分子电子学研究与器件。
• 柔性电子：工艺可在不同基底上制造，适合柔性电子器件的集成。
• 纳米真空器件：已在晶圆级实现纳米真空器件，并验证其电学特性与稳定性。
• 微纳制造：免高分辨光刻的倾斜沉积为微纳制造提供高性价比方案。