TM掺杂MoS₂单层

通过金、银、铜掺杂显著提升对氮氧化物等有害气体的吸附与传感能力，并可通过加热实现快速脱附。

Jiaqing, Li · 沈涛 · Liu, Chi · 冯玥 · 刘欣 · Wang, Chao

Materials Science in Semiconductor Processing 2024

具体参数

Cu MoS MoS

9.9 倍

功函数至少增加

27.3 %

技术优势

掺杂后气体吸附的电荷转移最大提升6.9倍

加热后脱附时间最快10 s