钙钛矿型铌酸盐电介质

高κ低漏电

这类三元铌氧化物电介质在纳米晶体管中提供了高介电常数与极低陷阱密度，且可通过全干法转移工艺兼容二维半导体。

Zhang, Biao · Guo, Jianmiao · Yan, Jianmin · Guang, Zeng · Li, Jie · 王聪 · Chai, Yang

Advanced Materials 2026

参数信息

介电常数

68

带隙

4 eV

亚阈值摆幅

60 mV dec⁻¹

栅漏电流

<10⁻⁶ A cm⁻²

增益

20

技术优势

介电常数高

其中Na₂Nb₄O₁₁的介电常数约68，有利于增强栅控能力。

漏电流低

MoS₂晶体管栅漏电流低于10⁻⁶ A cm⁻²，开关比>10⁷。

陷阱密度极低

全干法转移减少界面污染，实现超低陷阱密度，提升器件可靠性。

应用场景

• 二维晶体管：作为栅介质直接集成，保证二维沟道高性能。
• 低功耗逻辑器件：低漏电与低亚阈值摆幅降低静态功耗。
• 高κ栅介质：高介电常数增强栅控，减小等效氧化层厚度。