高纯钽溅射靶

织构均匀可控

通过调控再结晶行为，使{111}与{100}取向晶粒竞争生长，实现溅射速率关键取向比例的优化。

Pei, Zhao · 王爱娟 · Li, Zhaobo · 葛栋良 · Wang, Jiale · Kai, Wang · Lang, Wu · Gaojie, Liang · Tao, Yu · Qimu, An · 严富学

Materials Characterization 2025

技术优势

再结晶早期，多数晶粒在{111}-{100}界面处的{111}变形基体附近形核

{100}取向晶粒强度显著增加，但在再结晶末期显著降低

{100}晶粒通过应变诱导晶界迁移机制向{111}高密度位错区迁移

{111}晶粒可能通过亚晶粗化机制形核