晶圆级单层 WSi₂N₄ 薄膜

Yang, Yong; Li, Miaomiao; Sun, Lei; Zhou, Tianya; Tong, Jinmeng; Chen, Chen; Liu, Xuanya; Liping Zhao, Liping; Li, Hanlin; Li, Hui; Liu, Zhibo; Li, Xuefei; Qin, Shiqiao; Zhu, Mengjian; Xu, Chuan; Ren, Wencai

晶圆级单层 WSi₂N₄ 薄膜

掺杂可调 p 型沟道

将 WSi₂N₄ 从微米级畴区拓展到晶圆级连续薄膜，同时实现载流子浓度的原位调控，为二维 CMOS 提供可规模化的 p 型沟道材料。

杨勇 · Li, Miaomiao · Sun, Lei · Zhou, Tianya · Tong, Jinmeng · 陈晨 · 刘晅亚 · Liping Zhao, Liping · Liu Y.W. · 李辉 · Liu, Zhibo · Li, Xuefei · 秦石乔 · Liu Xinfeng · Xu, Chuan · 任文才

National Science Review 2026

具体参数

带隙: ~2.25 eV
开态电流密度: ~150 μA μm⁻¹
接触电阻: 0.95 kΩ μm
杨氏模量: ~538 GPa

技术优势

载流子掺杂浓度 5.8 × 10¹² ~ 3.2 × 10¹³ cm⁻² 可调

开/关电流比 5.4 × 10⁴（低掺杂）