多碳产物选择性突破
源自铜箔的碘化衍生处理引入高密度缺陷与粗糙表面,增强*CO吸附并促进C–C偶联,显著提升CO2还原为多碳产物的效率。
Yuchuan, Shi · Wang, Yiqing · Dong, Chungli · Ta Thi Thuy, Nga · Wei, Daixing · Jialin, Wang · Zhao, Xiaoli · Miao, Wang · Kaini, Zhang · 李明涛 · Dong, Fan · Shen, Shao Hua
Advanced Energy Materials 2023
在 −1.1 V vs RHE 时多碳产物法拉第效率达 71.16%,远高于电抛光铜的约 30%。
在流动池中 −1.2 V vs RHE 下 C₂₊ 分电流密度达到 290.0 mA cm⁻²,适合实际电解应用。
W-ID-Cu 在 −0.7 V vs RHE 下能产生常规铜催化剂少见的 C₂H₆,法拉第效率 10.14%。
原位表征和理论计算表明高密度缺陷和粗糙表面抬升 d 带中心,促进 *CO 吸附并降低 C–C 偶联能垒。