孪晶InSb纳米线

空穴迁移率50.7

周期性孪晶面抑制晶体缺陷，表面氧化层诱导致p型导电，为下一代纳米电子学和光电子学集成提供高效p型材料。

Shen, Fengcui · Cheng, Lanjun

Nanoscale 2023

具体参数

室温空穴迁移率最高

{'zh': '50.71', 'en': ''} cm² V⁻¹

技术优势

InSb纳米线呈现p型导电，与intrinsic n型相反

通过周期性孪晶面抑制随机晶体缺陷

表面自然氧化层导致表面能带弯曲，致n-p转换