Ga₂O₃/SiC异质结

暗电流低至3pA

通过界面能带工程实现可调隧穿效应,该垂直光探测器在不同偏压下展现出非常规整流特性,为高性能日盲探测提供新方案。

Zhiwei, Wang · Keju, Han · Huang, Hong · 赵晓龙 · Haoyan, Zhan · 侯小虎 · Xiao, Feng · Zhou, Xuanzhe Ze · 徐光伟 · 张峰 · Shibing, Long

Advanced Functional Materials 2024

参数信息

响应度
186.8 A W⁻¹
暗电流
3 pA
比探测率
1.4×10¹⁵ Jones
光暗电流比
8.8×10⁶
线性动态范围
138.8 dB
衰减速度提升倍数
1.23×10⁵
稳定性
6 months

技术优势

响应度达186.8 A/W

在反向偏压下,日盲光照时器件响应度高达186.8 A/W,意味着微弱紫外信号也能被有效放大。

暗电流低至3 pA

正向偏压下暗电流仅3 pA,大幅降低噪声,提高微弱信号检测能力。

衰减速度快1.23×10⁵倍

采用交替偏压策略,有效抑制持续光电导效应,使衰减速度提升1.23×10⁵倍。

空气中稳定存放6个月

器件在空气中无封装存放6个月后,光响应性能依然优异,降低了对封装的要求。

应用场景