高维持电压防闩锁
与传统的通过扩展电极间距来提升维持电压的方法不同，该器件通过插入浮动重掺杂区来提升维持电压，从而在不牺牲电流处理能力的前提下减小芯片面积。
Chen, Yujie · 王杨 · Ding, Liqiang · 杨红姣
Microelectronics Journal 2025
不再依赖拉大阴阳极间距的传统做法，而是通过内部掺杂区调整电场分布，所以提升维持电压时器件占位保持不变。
实验显示，正向维持电压高达21.6 V时，器件的电流处理能力没有下降，意味着无需在保护强度与泄放能力之间做取舍。
正向与反向维持电压分别达到21.6 V和27.9 V，双向防护都能有效抑制闩锁，适合需要对称保护的端口。