顶栅MoS2晶体管

退火晶圆级性能均一

非破坏性退火精准调控阈值电压，修复介电层缺陷，适合集成电路大规模应用。

Jinshu, Zhang · Yuxuan, Zhu · Dong, Xiangqi · Zhejia, Zhang · Gou, Saifei · Xinliu, He · Haojie, Chen · Mingrui, Ao · Wang, Jiahao · Sen, Wang · Yan, Hu · Qicheng, Sun · Wang, Xinyu · Yuchen, Tian · Jieya, Shang · Yufei, Song · Yue, Xiaofei · Cong, Chunxiao · 周丽绘 · 戴升 · Xu, Zihan · 万景 · Qiu, Haibing · 谈小军 · 王毅 · 包文中

Journal of Materials Science and Technology 2026

技术优势

阈值电压可双向调控

O2 退火使阈值电压正向偏移，H2-Ar 退火使阈值电压负向偏移，可在不损伤器件的情况下按需调整开关特性。

迟滞显著减小

150 °C 的 O2 退火可显著修复介电层缺陷，降低迟滞，改善栅控稳定性。

应用场景

• 逻辑电路：用于调节晶体管开关阈值，构建多阈值逻辑电路。
• 阈值电压调控：为集成电路中阈值电压调控提供非破坏性退火工艺。
• 集成电路制造：在晶圆尺度上改善器件电学性质均一性，促进二维半导体集成。