原子级薄碲单晶

导通电流密度超 1500 μA μm⁻¹

通过相工程精确合成α-Te纳米片与β-Te纳米带，实现厚度与晶相可控，β-Te保持p型半导体特性且室温迁移率高达690 cm² V⁻¹ s⁻¹，为高性能二维电子器件提供关键材料。

Zhou, Jun · Zhang, Guitao · Wang, Wenhui · 陈乾 · Zhao, Weiwei · 刘虹位 · Zhao, Bei · 倪振华 · Lü, Junpeng

Nature Communications 2024

具体参数

纳米带导通电流密度高

~1527 μA μm⁻¹

迁移率高

~690.7 cm² V⁻¹

短沟道

46 nm

技术优势

两种碲相在空气中放置数月后仍保持稳定