i-Ga₂O₃电子阻挡层

紫外发光提升15倍

30分钟溅射的i-Ga₂O₃作为电子阻挡层,显著降低缺陷态密度和串联电阻,增强紫外发光稳定性。

赵洋 · Bingxin, Ding · Yue, Liu · Xian, Zhang · Xiang, Guojiao · Zhiang, Yue · Zhao, Enqin · Shuaikang, Wei · Meibo, Xin · Fujing, Dong · 王辉

Journal of Alloys and Compounds 2025

具体参数

缺陷态密度
2.19 × 10¹⁰ cm⁻³
串联电阻
24.46 Ω
紫外发光强度提升
15 倍
激活能仅
0.017 eV