超薄光吸收
单层ZnGaInS₄通过第一性原理设计，兼具高载流子分离效率与可见光强吸收，是原子级光电器件的候选材料。
Xinyi, Yang · Yi-Feng, Sun · Guo-Ting, Nan · Zhi, Long · Xiao-Jun, Yan · De-Fen, Li · 刘俐俐 · Shi-Fa, Wang · Wu, Xiaozhi · Hu, Lei
Results in Physics 2023
HSE06计算显示带隙为2.05 eV，适合可见光吸收。
价带顶和导带底空间分离，阻碍电子-空穴对形成，提升光电性能。
可见光区吸收系数约10⁵ cm⁻¹，有利于薄层光吸收。
空穴迁移率呈现各向异性，可沿特定晶向设计器件。