28nm阻变存储器芯片

寿命显著延长

通过预测与复活算法大幅降低失效比例,寿命实际延长。

Zheng, Xu · Lizhou, Wu · Xie, Yuanlu · Lai, Jinru · Wenxuan, Sun · 玉洁 · Dong, Danian · 余兆安 · 薛晓勇 · 陈冰 · Yan, Yang · 许晓欣 · 刘琦 · 刘明

Advanced Electronic Materials 2024

参数信息

预测准确率
83.08 %
真实失效单元降低比例
35 %
虚失效单元降低比例
29 %
保持失效尾位占比(处理后)
14.6 %

技术优势

预测之后能复活

先用LSTM识别出即将失效的单元,再由复活算法给导电细丝间隙中的氧空位做修复,使其重新导通。

真实失效减少35%

对于LSTM预测为真失效的单元,应用复活算法后,真实失效的比例相对未处理时下降了35%。

保持尾位压到14.6%

连续十次复活操作,靠消除导电细丝间隙里的氧空位,把保持失效的尾位从33%减少到14.6%。

应用场景