Bi₂O₃合金β-Ga₂O₃

价带上移0.37 eV

通过铋合金化提升价带顶，为Ga₂O₃的p型掺杂提供新路径。

Matar, Fatima S. · 蔡雪芬 · Amar K., Salih · Shi, Yingli · De Silva, K. S. B. · Ling, Francischi Chung · Phillips, Matthew R. · 魏苏淮 · Ton-That, C.

Journal of Physical Chemistry C 2025

具体参数

价带顶上移

0.37 eV

降至

4.57 eV

降至

1.43 eV

技术优势

电导率降低超过2个数量级