晶态未掺杂HfO₂铁电体

纳秒级开关

通过氧分压调控稳定铁电相，在未掺杂体系中同时实现高耐久、大晶粒与超快开关。

李笑梅 · Ye, Changqing · 立豪 · 吴幸 · 李明

Nano Letters 2025

参数信息

开关速度

1 ns

技术优势

开关快至1纳秒

器件本征开关速度快，可直接满足高速存储需求，无需额外工程手段提速。

器件间差异小

器件间电学特性波动小，有利于大规模阵列集成时保证良率和一致性。

应用场景

• 铁电存储器：直接用于铁电存储单元，高速低功耗。
• 超大规模集成电路：与CMOS工艺兼容性好，适合大规模集成。
• 嵌入式非易失存储：可嵌入逻辑芯片作为非易失存储模块。
• 晶圆级集成：已实现晶圆级制备，可直接用于产线。