锍功能化分子光刻胶

15 nm 线宽图形

以刚性金刚烷核和柔性丁氧基侧链实现高质量成膜，配合间位取代与三氟甲磺酸根抗衡阴离子，在极紫外曝光下将分辨率推进至15纳米线宽/间距极限。

Zhuoran, Liu · 陈金平 · 于天君 · 曾毅 · 郭旭东 · 王双青 · 胡睿 · Vockenhuber, Michaela · Peng, Tian · Kazazis, Dimitrios · Ekinci, Yasin · 杨国强 · 李嫕

ACS Applied Electronic Materials 2025

参数信息

分辨率

15 nm

线边缘粗糙度

2.2 nm

技术优势

分辨率达15 nm

极紫外曝光下实现15 nm线宽/间距图形，满足下一代光刻节点的分辨率需求。

线边缘粗糙度仅2.2 nm

线边缘粗糙度2.2 nm，保证图形边缘光滑，有利于器件性能。

非化学放大，无酸扩散

采用非化学放大机制，避免酸扩散导致的图像模糊，提高分辨率。

分子设计优化成膜

刚性金刚烷核与柔性丁氧基侧链及间位取代的组合显著提升成膜质量与光刻性能。

应用场景

• EUV光刻：用极紫外曝光获得15 nm线宽/间距图形，满足先进光刻节点需求。
• 高分辨率电子束光刻：非化学放大分子光刻胶可用于高分辨率电子束光刻，实现精细图形。
• 下一代半导体制造：15 nm分辨率与2.2 nm粗糙度为下一代半导体制造提供材料基础。
• 纳米图案化：可制备15 nm周期纳米图案，用于纳米器件与结构。