双稀土共掺铁石榴石薄膜

磁光反转自偏置

通过Ga浓度单一变量系统调控补偿温度和法拉第旋光响应,在同一材料体系中实现多种磁光功能。

Hanxu, Zhang · Senyin, Zhu · Zhichao, Xing · Zhang, Zhicong · 付强 · Jiang, Taofei · 韩杰才 · 姜思达 · Wang, Xianjie · 杨立 · Song B.

Advanced Materials 2026

具体参数

法拉第旋转角
{'zh': '-0.081', 'en': '-0.081'} deg µm⁻¹
饱和磁场
{'zh': '527', 'en': '527'} Oe
反向形核场
{'zh': '350', 'en': '350'} Oe
补偿温度
{'zh': '77', 'en': '77'} K
补偿温度
{'zh': '187', 'en': '187'} K
补偿温度
{'zh': '29', 'en': '29'} K
补偿温度
{'zh': '431', 'en': '431'} K

技术优势

磁光反转自偏置

通过Ga掺杂调控补偿温度至室温,薄膜在零外场下保持饱和磁化态,法拉第旋转角完全保留,无需持续供电的偏置磁场。

单一变量连续调参

仅改变Ga含量,就在同一Bi-Eu-Ho铁石榴石材料族中实现77、187、29和431 K的补偿温度,对应不同的磁光响应。

低场驱动大旋光

在仅约527 Oe的低饱和场下获得-0.081 deg µm⁻¹的法拉第旋转,降低器件功耗和磁场设计复杂度。

应用场景