六方氮化硼忆阻器

41 mV 级开启电压

采用预制粗糙金属电极与非侵入式范德华集成，取代传统直接沉积，避免介质损伤和随机离子扩散，实现超低工作电压的稳健非易失存储。

Yu, Kang · Xingyu, Zhai · 阳泉 · Hu, Jiayang · Zhang, Zhixiang · Jialei, Miao · Haohan, Chen · Pu, Dong · Hu, Huan · Chen, Wenchao · Zhao, Yuda · 俞彬

ACS Materials Letters 2025

具体参数

电压

{'zh': '41', 'en': ''} mV

技术优势

非侵入式粗糙金属/介质界面

实现超低工作电压