激光刻蚀聚酰亚胺

二次电子发射抑制

飞秒激光在聚酰亚胺表面制造微纳沟槽结构，有效降低材料二次电子发射系数。

Xin, Qi · Jiayu, Du · Jian, Wu · 彭卫平 · 胡国明 · 马彦昭

Vacuum 2025

参数信息

最大SEY

1.09

技术优势

无需涂层

直接在聚酰亚胺表面刻蚀微纳结构，降低SEY，避免额外涂层带来的界面问题。

SEY大幅降低

40–60交叉沟槽结构将最大SEY从1.72降至1.09，降幅达36%。

表面成分可控

激光刻蚀后表面碳氮含量增加、氧含量减少，有利于降低SEY。

应用场景

• 航天器介质材料：直接降低航天器介质材料表面SEY，抑制微放电风险。
• 粒子加速器抑制电子云：通过表面微结构减少二次电子倍增，抑制加速器真空室内的电子云。
• 真空电子器件：降低器件中绝缘部件的SEY，防止局部放电。
• 微纳结构表面：飞秒激光制造的沟槽结构本身即可实现SEY抑制功能。