钨栅p-MESFET

常关高开关比

一种能带调制的自对准p-AlGaN/u-GaN复合沟道MESFET，栅极采用钨，具有可忽略的滞后与超低陷阱态密度。

Peng, Wu · Su, Huake · 张涛 · Heyuan, Chen · 许晟瑞 · 段小玲 · Lv, Yueguang · 张进成 · 74227950

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

具体参数

亚阈值摆幅

{'zh': '90', 'en': ''} mV/dec

Threshold voltage

{'zh': '', 'en': '0.3'} V

栅漏间距

{'zh': '4', 'en': '365'} μm

击穿场强

{'zh': '约 0.9', 'en': ''} MV/cm

微分导通电阻

{'zh': '2.8', 'en': ''} kΩ·mm

技术优势

ION/IOFF 达 2 × 10^7

关态应力后迟滞可忽略