深蓝发光氯化锑

窄带发射近BT.2020

混合阳离子策略将间接带隙氯化锑转化为直接带隙，实现400 nm深蓝自由激子发射，色坐标逼近BT.2020标准。

Ren-Jie, He · Lin-Xia, Yang · Xinyu, Ma · 王亭杰 · Guo, Zengsheng · 苗金玲 · 王素娜 · 李村成 · 刘广宁

Chemical Engineering Journal 2025

参数信息

发射峰波长

400 nm

半峰全宽

53 nm

CIE色坐标x

0.15

CIE色坐标y

0.03

技术优势

发射峰正好落在深蓝区

发射峰位于400 nm，属于深蓝光区域，避免了自陷激子常见的红移现象。

色域覆盖接近BT.2020标准

CIE坐标(0.15, 0.03)与BT.2020标准(0.131, 0.046)非常接近，可直接用于宽色域显示。

半高宽窄，颜色纯度高

半峰全宽仅53 nm，窄带发射有助于提高色纯度，避免与相邻颜色串扰。

混合阳离子实现带隙类型转变

通过引入芳香阳离子，材料由间接带隙变为直接带隙，提高了辐射复合效率。

应用场景

• 深蓝光发光材料：为显示和照明提供高色纯度深蓝光，替代含铅卤化物钙钛矿。
• OLED蓝光发光层：可直接用作OLED蓝色发光层，窄带发射提升色域覆盖。
• micro-LED色彩转换层：作为micro-LED的色彩转换层，将蓝光转换为更高纯度的深蓝光。
• 量子点显示背光：用作量子点显示背光源的蓝色组分，窄带发射减少滤光损失。