TiC/(Ti,Nb)₃SiC₂双层涂层

800 °C抗氧化导电

该涂层通过双层协同阻挡作用，同时实现低氧化速率和高导电性，有效抑制Cr挥发。

Li, Xichao · Zhenkun, Wang · Wei, Shouli · Li, Zhao · 徐敬军 · Tian, He · Zheng, Lili

International Journal of Hydrogen Energy 2024

具体参数

氧化速率常数
{'zh': '5.4 × 10⁻¹⁵', 'en': '5.4 × 10⁻¹⁵'} g² cm⁻⁴ s⁻¹
氧化层面电阻
{'zh': '15.87', 'en': '15.87'} mΩ cm²

技术优势

氧化极慢

TiC层在退火过程中释放C与外界氧反应，减缓了基体合金的氧化，且生成致密的氧化层进一步阻挡氧扩散。

Cr基本不跑

TiC层和氧化层共同阻挡Cr和Mn外扩散，外层氧化物中Cr含量极低，大幅减少有毒CrO₃的挥发。

导电不耽误

氧化层形成后面积比电阻仅15.87 mΩ cm²，满足SOFC对连接体导电性的严格需求。

应用场景