铜掺杂GeSe薄膜

少子寿命近翻倍

CuCl2掺杂使GeSe光活性层晶界处载流子由空穴流转变为电子流，有效抑制复合。

Zhou, Jing · Li, Gao · Shengwen, Yang · Zhenming, Qu · 曹宇 · 逄金波 · 倪牮 · 张建军

Applied Surface Science 2025

具体参数

转换效率

{'zh': '3.01', 'en': '3.01'} %

载流子寿命

{'zh': '374.57', 'en': '374.57'} μs

技术优势

载流子寿命近翻倍

晶界处由空穴流转变为电子流，降低了复合概率，寿命从200.23 μs延长至374.57 μs。

效率提升超50%

晶界处载流子重新分布，减少了复合损耗，转换效率从1.98%提高到3.01%。

晶界复合被抑制

掺杂后晶界处形成局部内建电势，将空穴流转变为电子流，降低复合概率。

工艺简单低本

只需在GeSe薄膜上旋涂CuCl2溶液即可实现掺杂，无需复杂设备。

应用场景

• 薄膜太阳能电池：直接用作光活性层，无需额外掺杂即可提升器件效率。
• 太阳能电池：替换未掺杂GeSe，降低晶界复合损失。
• 光电器件：用于对载流子寿命敏感的光电探测器等。