GaN/ZnO异质结光电晶体管

零偏压下最佳性能

3D ZnO纳米线网络浮置基区与背靠背结构，让器件无需外部电源即可自供电工作，且性能均为同类紫外光电晶体管中零偏压下的最佳结果。

王秀娟 · Shuang, Gao · Zhuo, Han · Xiaodong, Zhang · Haoran, Chen · Kang, Xiang · Muyang, Ye · Junxing, Qiu · 吴春艳 · Yang, Xiaoping · Zhang, Tianci · 高倩 · 邢琨

Advanced Optical Materials 2024

具体参数

暗电流

{'zh': '1.7×10⁻¹³', 'en': '1.7×10⁻¹³'} A

光暗电流比

{'zh': '10⁶', 'en': '10⁶'}

响应度

{'zh': '9.74', 'en': '9.74'} A/W

探测率

{'zh': '1.58×10¹⁴', 'en': '1.58×10¹⁴'} Jones

技术优势

无需外部电源

背靠背的p⁺-GaN/n⁻-ZnO异质结与n⁻-ZnO/Au肖特基结在零偏压下即可产生内建电场，将光生载流子分离，使器件无需外接电源即可工作。

弱光探测能力强

暗电流低至1.7×10⁻¹³ A，光暗电流比高达10⁶，使极微弱的紫外光也能被检测到。

响应速度快

上升时间150微秒、下降时间250微秒，适用于需要快速检测的成像和通信场景。

灵敏度创纪录

探测率达1.58×10¹⁴ Jones，为迄今零偏压紫外光电晶体管的最佳报道值。

应用场景

• 日盲紫外成像：可在无外部电源下实现日盲紫外成像，用于火焰探测或电晕检测。
• 紫外光通信：无需电源的快速响应可使紫外通信系统更易部署于分布式节点。
• 自供电光电探测：零偏压下工作，可直接替代需要外接电源的传统光电探测器。