Se自取代BiCuSeO

位错致低热导

通过Se在O位的自取代引入高密度晶格位错,显著散射中频声子,实现近无外源掺杂的热电性能优化。

Xu, Rui · 陈志炜 · Li, Qihua · Yang, Xiaoyu · Han, Wan · 白玮 · Wang, Ruonan · 宋吉明 · 周莉 · 肖翀 · 葛炳辉

Research 2023

具体参数

位错密度
约3.0 × 10^14 m
晶格热导率
0.38 W m
功率因子
942 μW m
Bi Pb
06 Cu0