抑制阈值电压漂移
针对平面与沟槽栅SiC MOSFET，提出利用短路应力恢复偏置温度不稳定性的方法，为器件应用提供抑制阈值电压漂移的新思路。
Kaiwei, Li · 孙鹏菊 · Xinghao, Zhou · Chen, Lan · Qingsong, Liu
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024
直流和交流BTI都可通过短路应力恢复，平面栅和沟槽栅器件均适用，无需针对不同结构开发特定方法。
与负栅压加高温的恢复方法相比，短路应力恢复后的阈值电压再漂移更小，恢复效果更优。