产氧速率创纪录
通过原位还原在Bi与BiVO₄界面构筑Bi─O─V共价桥,加速热电子迁移,从而大幅提升光催化水氧化性能。
Liyang, Li · Zhiming, Chen · 方东 · Low, Jingxiang · 易健宏
Advanced Science 2025
Bi与BiVO₄之间的Bi─O─V共价桥为等离激元诱导的热电子提供了快速迁移通道,使更多载流子参与表面反应。
优化后的Bi/BiVO₄光催化析氧速率达到4567.94 µmol h⁻¹ g⁻¹,为目前报道的最高值。
在近红外光照射下,该材料仍能以381.47 µmol h⁻¹ g⁻¹的速率产氧,拓展了光催化产氧的光谱利用范围。