N浮空型碳化硅GTO

无回弹、低关断损耗

通过N型浮空层提高P注入区上方的横向电阻并改变导通初期的电子电流路径，彻底消除回弹现象，同时阳极短路结构在低电流密度下将关断损耗降低85%。

Chengcheng, Wu · 李俊焘 · 李志强 · Zhang, Lin · Zhou, Kun · 邓小川

Electronics (Switzerland) 2024

参数信息

关断损耗降幅

85 %

N浮空层掺杂浓度

2 × 10^14 cm^-3

N浮空层厚度

4 μm

技术优势

无回弹

N浮空层提高P注入区上方的横向电阻，改变导通初期的电子电流路径，从而在正向导通时完全消除回弹现象。

关断损耗降85%

阳极短路结构在低电流密度下将关断损耗降低85%，有利于降低开关功耗。

应用场景

• 高压直流输电：消除回弹并降低关断损耗，提升换流阀效率和可靠性。
• 脉冲功率：低关断损耗支持高重复频率脉冲开关。
• 碳化硅功率器件：提供无回弹的逆导GTO新结构，扩展SiC器件应用。