AlGaN/GaN MIS-HEMT

抗氢和应力退化

在氢处理和高温栅偏置应力下仍保持稳定，为空间应用提供可靠GaN功率器件。

Xiangzhen, Cai · Chen, Yiqiang · Gao, Rui · Changjian, Zhou

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

转移曲线漂移方向

-10 V

技术优势

氢处理后Ids显著提升

氢处理导致阈值电压负漂和开态电阻降低，从而显著提高漏源电流，有利于器件在特定应用中的导通性能。

漏源电阻基本不变

在氢处理和栅偏压应力下，漏源电阻几乎不变化，表明器件输出特性稳定。

栅漏电流保持稳定

氢处理和栅偏压应力下栅漏电流没有明显变化，说明栅介质可靠性较好。

为空间应用提供参考

实验结果可直接用于指导AlGaN/GaN MIS-HEMT在空间环境中的设计和可靠性评估。

应用场景

• 空间电子器件：用于评估氢环境下器件长期可靠性，支撑空间电源系统设计。
• GaN HEMT：该器件作为GaN MIS-HEMT，可直接用于高频功率转换。