非晶GaOx壳GaSb纳米线FET

高偏压应力稳定

通过简单原位热退火将GaSb纳米线表面天然氧化物壳转化为非晶GaOx壳，所得FET在60分钟栅偏压下阈值电压漂移仅0.54V，并可作为无电荷介电层的突触晶体管。

庄昕明 · Zixu, Sa · Zhang, Jie · Wang, Mingxu · 徐明升 · 刘风景 · 宋克鹏 · 何涛 · Chen, Feng · 杨再兴

Advanced Science 2023

具体参数

分钟栅偏压下阈值电压漂移

约0.54 V

漂移

约8.2 V

技术优势

实现短时程可塑性、长时程可塑性、脉冲时间依赖可塑性及可靠学习稳定性