应变SiGe纳米鳍晶体管

同面积电流提升

在相同占位面积上利用SiGe纳米鳍增加有效沟道宽度，并通过p型沟道实现高导通电流，为GAAFET工艺优化提供实验指导。

曹垒 · 张青竹 · Yao, Jiaxin · Li, Junjie · 刘扬 · Luo, Yanna · Kong, Zhenzhen · Na, Zhou · Jianfeng, Gao · Lu, Yihong · 何晓斌 · Han, Jianghao · Wu, Zhenhua · 李峻峰 · 罗军 · 殷华湘

IEEE Electron Device Letters 2023

参数信息

过驱动电压

0.5 V

技术优势

开关比破十万

TreeFETs的短沟道效应得到有效抑制，因此静态功耗低，适合做低漏电逻辑。

p型驱动强于n型

由于应变SiGe纳米鳍的空穴传导优势，p型TreeFETs在相同过驱动电压下电流更高，有利于CMOS中平衡n/p特性。

同占位下沟道更宽

FishboneFETs通过选择性刻蚀实现SiGe纳米鳍，在不增大版图面积的情况下增加有效沟道宽度，单位面积电流提升。

应用场景

• 先进逻辑芯片：利用p型TreeFETs的高开关比改善反相器等基本门电路的噪声容限。
• 功率器件：SiGe纳米鳍降低短沟道效应，有利于实现低泄漏的功率开关。
• 微处理器：在相同占位面积下提升有效沟道宽度，提高集成度和计算吞吐量。
• 存储器件：利用低关态电流特性降低存储单元的静态保持功耗。