封装电场应力降半
通过梯度介电常数设计均匀IGBT封装内电场分布，最大电场应力较纯树脂封装降低近50%，局部放电起始电压翻倍以上。
钟理鹏 · Liu, Wei · Sun, Youqing · 王锋 · Chen S. · 孙秋芹 · Yufeng, Liu · Chao, Yuan · Xiaopeng, Li · Fei, Guanghai
Materials and Design 2023
梯度介电常数结构使封装内电场重新分布，最大电场应力从 190.2 kV/mm 降至 108.3 kV/mm，降幅接近 50%。
梯度封装器件的局部放电起始电压达到 4.07 kV，远高于纯树脂封装的 1.96 kV 和均匀分散复合封装的 2.51 kV。
通过电辅助 SLA 3D 打印，可直接在 IGBT 器件表面打印梯度结构，无需额外组装步骤。
梯度介电常数设计针对性地解决了三结合点处的电场集中问题，这是传统封装材料失效的关键原因。