空心掺氮碳层包覆纳米硅

300圈后容量921

空心掺氮碳层有效缓冲硅的体积膨胀,显著提升循环稳定性。

Kongmei, Chen · Zhengwei, Li · 周建华 · 高杰 · Qin, Haiqing · Liu, Wenping · Lei, Xiaoxu · Wang, Xiaoyang · Miao, Lei

Applied Materials Today 2025

具体参数

初始放电比容量
{'zh': '2655.1', 'en': '2655.1'} mAh g⁻¹
循环后容量
{'zh': '921.2', 'en': '921.2'} mAh g⁻¹
高倍率可逆容量
{'zh': '238.9', 'en': '238.9'} mAh g⁻¹

技术优势

容量高

空心掺氮碳层包覆的纳米硅在0.5 A g⁻¹下初始放电比容量达2655.1 mAh g⁻¹。

循环稳

0.5 A g⁻¹下循环300圈后容量仍保持在921.2 mAh g⁻¹。

高倍率好

在8 A g⁻¹的高电流密度下仍能提供238.9 mAh g⁻¹的可逆容量。

应用场景