可变漏磁记忆电机

拓宽调速范围

通过变漏磁设计拓宽磁通调节范围,同时保持高转矩密度和抗退磁能力。

Xifang, Zhao · 林鹤云 · Zhong, Yuxiang · 阳辉 · Zeng, Xianxian · 刘细平

IEEE Transactions on Industrial Electronics 2024

技术优势

调速范围更宽

通过改变磁化状态调节磁通,并利用可变漏磁进一步拓宽磁通调节范围,适用于宽调速应用。

抗退磁能力强

保持优异的抗负载退磁能力,确保电机在负载条件下稳定运行。

转矩密度高

在拓宽调速范围的同时保持高转矩密度,满足动力需求。

应用场景