层状硒化铋半导体

高迁移率宽带隙

一种具有优异热化学稳定性的层状半导体，为下一代电子和光电器件提供新选择。

Li, Menglu · Chen, Pei · Zhao, Yan · Zhao, Mei · Leng, Huaqian · Yong, Wang · Ali, Sharafat · Raziq, Fazal · 吴小强 · Yi, Jiabao · 肖海燕 · 乔梁

InfoMat 2024

技术优势

电子跑得快

该材料具有高电子迁移率，适合用于高速晶体管等需要快速载流子传输的器件。

带隙够宽

Bi₂O₂Se 具有可观的带隙，有利于实现高开关比和低漏电流的电子器件。

耐热又耐化学腐蚀

该材料具有出色的热稳定性和化学耐久性，能够在恶劣环境下保持性能。

应用场景

• 下一代晶体管：高迁移率和宽带隙提升开关速度与开关比，适合高速低功耗逻辑器件。
• 光电探测器：宽带隙对应可见至红外探测窗口，高迁移率提升响应速度。
• 光催化：化学稳定性好，可在光照下催化分解水或降解污染物，不易被腐蚀。
• 太阳能电池：可作为稳定传输层或吸收层材料，提升电池的稳定性和效率。
• 气体传感：表面化学活性高且热稳定性好，适合高温气体探测场景。