直接生长的扭转双层MoS₂

晶界工程精准控扭角

利用底层倾斜晶界引导制备出扭角可控的双层二硫化钼，特定角度下层间激子发光显著增强，为摩尔超晶格研究提供了可直接生长的材料。

Li, Xiaotian · Zhao, Xuan · Zhao, Luneng · 高峻峰 · Zhao, Zihan · Yang, Jian · Zhang, Tiantian · 刘楠 · Zhang, Wenkai · 窦瑞芬

Advanced Science 2025

参数信息

specific twist angles

22 °

技术优势

扭角由晶界引导

底层倾斜晶界决定两层间的相对旋转角，从而可设计特定扭角的双层结构。

原位生长免转移

采用CVD方法直接生长双层，避免了转移过程造成的污染和损伤。

应用场景

• 摩尔超晶格：无需转移直接生长出扭角可控的摩尔超晶格，用于关联量子态研究。
• 激子物理：特定扭角增强层间激子，用于研究摩尔势场中的激子局域化。
• 二维量子材料：提供高质量双层MoS₂，作为探索二维量子现象的材料平台。