光电压损耗骤降
通过形成强双位点P─O─Pb共价键同时钝化缺陷和优化界面能级,解决钙钛矿/PCBM界面非辐射复合难题。
Xiong, Shaobing · 王浩 · Jiang, Kai · 李迪 · Yu, Jinyang · 赵斌 · 李波 · Wu, Yuning · 姚叶锋 · 王言博 · Zhu, Haiming · 孙真荣 · 褚君浩 · 保秦烨
Advanced Materials 2025
双位点P─O─Pb共价键同时锚定钙钛矿表面两个位点,缺陷密度有效降低。
表面能级重构使费米能级上移并增强电场,促进钙钛矿/PCBM界面电子抽取。
界面非辐射复合被显著抑制,开路电压达1.215 V,为p-i-n结构报道最高。