单根(Al,Ga)N纳米线光突触器件

能耗低至5.58×10⁻¹³ J

单根纳米线实现超低能耗光突触器件,可模拟多种生物突触功能,用于神经形态计算。

Xiushuo, Gu · Min, Zhou · Zhao, Yukun · Qianyi, Zhang · Zhang, Jianya · 黄勇林 · 陆书龙

Nano Research 2023

参数信息

能耗
5.58 × 10 J
工作波长
310, 365 nm
识别率
92 %

技术优势

能耗接近人脑

单次突触事件能耗低至5.58×10⁻¹³ J,与生物突触相当,可显著降低神经形态硬件的功耗。

光控实现突触可塑性

在310和365 nm光照下即可模拟配对脉冲易化、脉冲时序依赖可塑性等多种突触功能,不用电脉冲。

快速达到高识别率

基于器件电导模拟的三层神经网络,仅10个训练周期即达到92%的识别率,训练开销低。

长时间工作稳定

在长时间刺激和长时间存储下均保持高稳定性,有利于实际部署。

应用场景